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使用單向可控矽時要注意的主要參數有
- 2019-11-21-

一、額定通態平均電流IT(AV)
  在環境溫度為 40℃及規定的散熱條件、純電阻負載、元件導通角大於己於170&#176電角度時,可控矽所允許的單相工頻正弦半波電流在一個週期內的最大平均值I。
  二、通態平均電壓UT(AV)
  在規定的環境、溫度散熱條件下元件通以額定通態平均電流,結溫穩定時,陽極和陰極間電壓I平均值。
  三、控製極觸發電壓UGT
  在室溫環境下陽極和陰極間加6V電壓時I使可控矽從截止變為完全導通所需的最小控製極直流電壓。
  四、控製極觸發電流IGT
  在室溫環境下陽極和陰極間加6V電壓時……使可控矽從截止變為完全導通所需的控製極最小直流電流。
  五、斷態重複峰值電壓UPFV
  在控製極斷開和正向阻斷的條件下陽極和陰極間可I重複施加的正向峰值電壓。其數值規定為斷態下重複峰值I電壓UPSM的80%。
  六、反向重複峰值電壓UPRV
  在控製極斷開的條件下I陽極和陰極之間可重複施加的反向峰值電壓。其數值規定為反向不重複峰值電壓URSM的80%‘一般把UPFV和UPRV中較小的數值作為元件的額定電壓I。
 七、維持電壓IH
    在室溫和控製極斷路時可控矽從較大的通態電流降至剛好能保持元件處於通態的最小電流I,一般為幾十到一百多mA。如果通過的正向電流小於此值’I可控矽就不能繼續保持導通而自行截止。 

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