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淺談雙向可控矽的工作原理
- 2018-12-17-

雙向可控矽可以看作一對普通可控矽的反向並聯集成,其工作原理與普通單向可控矽相同。雙向可控矽有兩個主電極,T1和T2,以及一個柵極G。該柵極使得該器件能夠觸發在主電極的正方向和負方向的傳導。因此,雙向可控矽在第一象限和第三象限具有對稱伏安特性。雙向可控矽門加正負觸發脈衝可以使管觸發,所以有四種觸發方式。雙向可控矽的應用是雙向可控矽的正常使用。雙向可控矽的主要參數需要定量掌握。為了滿足各參數的要求,必須正確選擇雙向可控矽,並采取相應的措施。

耐壓電平的選擇:VDRM(斷路狀態重複峰值電壓)和VR M(反向重複峰值電壓)中的較小值通常被額定為器件的額定電壓。當選擇時,額定電壓應該是正常峰值工作電壓的2-3倍,作為允許的工作過電壓裕度。

電流測定:由於雙向可控矽通常用於交流電路,所以用RMS代替平均值來表示額定電流值。由於可控矽的過載容量小於一般電磁裝置,所以一般家用電器用可控矽的電流值是實際工作電流值的2-3倍。同時,可控矽經受斷路狀態重複峰值電壓VD R M和反向重複峰值電壓V R R M的峰值電流應小於器件規定的IDRM和IRRM。

導通狀態(峰值)電壓VT M的選擇:是可控矽的瞬態峰值電壓降,通過該瞬態峰值電壓降固定指定的電流量。為了減少可控矽的熱損失,應盡量選擇VT M較小的可控矽。

維護電流:IH是維持可控矽導通狀態所需的最小主電流。它與結溫有關。結溫越高,IH越小。

抗電壓上升率:dv/dt是指關斷狀態下的電壓上升斜率,它是防止誤碼的關鍵參數。這個值超過極限可能導致可控矽中的誤導現象。A2與G之間的寄生電容由可控矽的製造工藝決定。

 


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