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雙向可控矽及其分類
- 2018-11-15-
雙向可控矽具有矽整流器件的特性能在高電壓、大電流條件下作業,且其作業進程可以操控,被廣泛應用於可控整流、溝通調壓、尤觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
可控矽的種類:
(1)按關斷、導通及操控方法分類:可控矽按其關斷、導通及操控方法可分為一般可控矽、雙向可控矽、逆導可控矽、門極關斷可控矽(GTO),BTG可控矽、溫控可控矽和光控可控矽等多種。
(2)按引腳和極性分類:可控矽按其引腳和極性可分為二極可控矽、三極可控矽和四極可控矽。
(3)按封裝方式分類:可控矽按其封裝方式可分為金屬封裝可控矽、塑封可控矽和陶瓷封裝可控矽三種類型。其間金屬封裝可控矽義分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種塑封可控矽又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(4)按電流容量分類:可控矽按電流容量可分為大功率可控矽、中功率可控矽和小功率可控矽三種。一般大功率可控矽多選用金屬殼封裝而中、小功率可控矽則多采川塑封或陶瓷封裝。

(5)按關斷速度分類:可控矽按其關斷速度可分為一般可控矽和高頻(迅速)可控矽。

為什麽可控矽容易擊穿?

1、過壓擊穿:

過壓擊穿是可控矽擊穿的主要因素之一,可控矽對過壓的承受能力幾乎是沒有時刻的,即便在幾毫秒的短時刻內過壓也會被擊穿的,因而實踐應用電路中,在可控矽兩端一定要接入RC吸收回路,以避免各種無規則的幹擾脈衝所致使的刹那間過壓。如果常常發作可控矽擊穿,請檢查一下吸收回路的各元件是不是有燒壞或失效的。

2、過流與過熱擊穿:

其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿即是電流在通過可控矽芯片時在芯片內部發作熱效應,使芯片溫度增加,當芯片溫度到達175℃時芯片就會失效且不能康複。在正常的運用條件下,隻需作業電流不超越可控矽額定電流是不會發作這種熱擊穿的,由於過流擊穿原理是由於溫度增加所致使的,而溫度增加的進程是需求一定時刻的,所以在短時刻內過流(幾百毫秒到幾秒時刻)一般是不會擊穿的。

3、過熱擊穿:

這裏所說的過熱擊穿是指在作業電流並不超越可控矽額定電流的情況下而發作的熱擊穿,發作這種擊穿的因素主要是可控矽的輔佐散熱裝置作業不良而致使可控矽芯片溫度過高致使擊穿。


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